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DMS2220LFDB-7中文资料

DMS2220LFDB-7图片

DMS2220LFDB-7外观图

  • 大小:134.04KB
  • 厂家:DIODES
  • 描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR SUPER BARRIER RECTIFIER
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:95 毫欧 @ 2.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:632pF @ 10V
  • 功率 - 最大:1.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:6-DFN2020B(2x2)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:DMS2220LFDBDITR

DMS2220LFDB-7供应商

更新时间:2023-01-26 18:40:20
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